Лашкарев Вадим Евгеньевич. | История ИТ в Украине
Lashkarev

Лашкарев Вадим Евгеньевич.

Ученый Вадим Евгеньевич Лашкарев является одним из “родителей” транзистора, без которого не обходится ни одна современная цифровая техника. Он делал свои открытия  в нелегких условиях: от сталинской ссылки до работы в военные годы.  Несмотря на сложности, ученый подарил миру такое явление, как p-n переход, теорию фото-электродвижущей силы в полупроводниках и многое другое.

Ученый Вадим Евгеньевич Лашкарев является одним из “родителей” транзистора, без которого не обходится ни одна современная цифровая техника. Он делал свои открытия  в нелегких условиях: от сталинской ссылки до работы в военные годы.  Несмотря на сложности, ученый подарил миру такое явление, как p-n переход, теорию фото-электродвижущей силы в полупроводниках и многое другое.

Вадим Евгеньевич Лашкарев родился 7 октября 1903 года в Киеве. Уже в послереволюционные годы он закончил Киевский университет, в котором до 1930 года был аспирантом и работал на кафедре физики. Далее по приглашению академика Абрама Иоффе он едет в Ленинград, где руководит лабораторией в Ленинградском физико-техническом институте и работает в области дифракции медленных и быстрых электронов. В этот период им выполнены пионерские исследования распределения электронной плотности в кристаллах, обобщенные в монографии "Дифракция электронов". Эти труды были настолько значимы, что в 1935 г Лашкареву без защиты диссертации была присуждена ученая степень доктора физико-математических наук.

Несмотря на все научные заслуги, 27 февраля 1935 года Лашкарев был арестован за «участие в криминальной группе мистического толка» и после трехмесячного пребывания в тюремной камере-одиночке был выслан в Архангельск, где стал заведующим кафедрой физики Архангельского медицинского института.

В то время одним из студентов Лашкарева был небезызвестный Николай Михайлович Амосов. Вспоминая 1937 год, Амосов говорил о том, что Лашкарева, видимо, выслали из Ленинграда за спиритизм. По словам ученого, если бы провинность Вадим Евгеньевича была серьезней и потянула на “врага народа”, то его скорее всего сослали бы в лагерь, а не разрешили преподавать в институте. Именно Вадим Евгеньевич открыл Амосову мир “чудес”: спиритизм, телепатию, телекинез, левитацию, полтергейст, йогу. По утверждению Амосова, Лашкарев участвовал во многих спиритических сеансах и верил в потусторонние силы всю жизнь, несмотря на то, что был серьезным ученым, которому верить в такие “глупости” было не с руки. Сам же Амосов после знакомства с Лашкаревым тоже стал интересоваться этой “антинаучной” сферой, которую Вадим Евгеньевич называл “другая физика”, но доказательств ее истинности так и не получил.

Вернуться из ссылки Лашкареву удается лишь через 4 года. В 1939 году он приехал в Киев и занял должность заведующего отделом Института физики АН УССР, на которой работал 21 год. С 1944 по 1957 годы Лашкарев одновременно с работой в Институте физики, занимал должность заведующего кафедрой физики Киевского национального университета. Оба института в годы войны были эвакуированы на Урал. Помогая фронту, Лашкарев разработал купроксный диод для полевых армейских радиостанций и добился выпуска на одном из заводов. Ученый сохранил один из диодов и передал его сыну. Сейчас диод находится в одном из музеев Киева.

В  50-е и 60-е гг. ХХ-го века  Лашкарев активно работал в сфере исследований физических свойств полупроводников, попутно занимаясь оптикой рентгеновских лучей, дифракцией электронов, биофизикой. Рентгеновские лучи Лашкарев начал изучать еще сразу после студенчеста, где в 1926 году совместно с Владимиром Линником он разработал метод определения показателя преломления рентгеновских лучей.

Еще в Киеве, в 1941 году Лашкарев предложил метод термозонда для изучения распределения удельного сопротивления в глубь запирающего слоя. Таким образом он впервые обнаружил p-n-переход в закиси меди. Результаты исследований были изложены в статьях «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди» (в соавторстве с К.М. Косоноговой) и опубликованы незадолго до начала Великой отечественной войны. За открытие «транзисторного эффекта» и создание в 1947-м году плосткостного транзистора в 1956 году  американские ученые Джон Бардин, Вильям Шокли, Уолтер Браттейн получили Нобелевскую премию по физике. В числе номинантов на эту награду советский физик Лашкарев, открывший p-n-переход еще за 7 лет до американцев, не значился. В тоже время, под его руководством в начале 50-х годов в Институте физики АН Украины было организовано производство точечных транзисторов.

Открытие p-n перехода и исследование влияния примесей в полупроводниках – не единственный вклад Лашкарева в физику. В 1946 году он открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока, а в 1948 году построил общую теорию фото-ЭДС (электродвижущая сила) в полупроводниках. В 1950 году Лашкарев вместе с В.И. Ляшенко опубликовали статью «Электронные состояния на поверхности полупроводника», в которой описали результаты исследований поверхностных явлений в полупроводниках, ставшие основой работы интегральных схем на базе полевых транзисторов.

Лашкарев также раскрыл механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы. Он также выполнил ряд фундаментальных исследований фотоэлектрических явлений в полупроводниках, в частности механизма возникновения и закономерностей фото-ЭДС, линейной и нелинейной проводимости, поверхностных, электрофизических и других свойств полупроводников.

Еще одним признанием выдающихся результатов стало создание в 1960 году Института полупроводников НАН Украины, который возглавил  Лашкарев.

Характерным для научной деятельности Лашкарева является глубокое проникновение в физическую сущность процессов, образность интерпретации, широкое, использование принципа моделей и аналогий. Исключительно высокий уровень научных дискуссий, проводимых Лашкаревым. привлекал к нему многочисленных способных учеников. Будучи заведующим кафедрой физики полупроводников Киевского университета, он создал один из первых общеобразовательных курсов лекций по полупроводникам и подготовил большой отряд специалистов высокого уровня.

Глубокое знание литературы и истории, а также любовь к музыке делали Лашкарева одним из образованнейших людей своего времени. Он пользовался признанием у многих выдающихся ученых различных специальностей. Среди близких друзей Лашкарева были В.П. Филатов, И.В. Курчатов. А.И. Алиханов. А.И. Ачиханьян, Б.М. Вул, А.Ф. Иоффе и многие другие.

Лашкарев является пионером информационных технологий в Украине и СССР в области транзисторной элементной базы средств вычислительной техники. Вполне справедливо считать его и одним из первых в мире основоположников транзисторной микроэлектроники. В 2002 году имя Лашкарева присвоено основанному им Институту полупроводников НАН Украины.